Plasma Therm APEC SLR ICP-RIE

Le Plasma Therm APEC SLR est un système avancé de gravure ionique réactive à plasma à couplage inductif (ICP-RIE), réputé pour ses capacités de gravure précises sur un large éventail de matériaux, notamment les semi-conducteurs III-V et IV, le silicium (Si), le dioxyde de silicium (SiO2), le nitrure de silicium (Si3N4), le tungstène (W), le molybdène (Mo), divers métaux (p. ex., le chrome) et les polymères (résines). Ce système est doté de deux alimentations RF indépendantes (ICP et plasma à couplage capacitif, CCP), ce qui permet de dissocier le contrôle de la densité du plasma de l'énergie des ions. Cette conception unique permet d'obtenir des vitesses de gravure nettement plus élevées sans compromettre la sélectivité. Il prend en charge les chimies à base de fluor et de chlore, en utilisant des gaz tels que le chlore (Cl₂), le trichlorure de bore (BCl₃), le tétrachlorure de silicium (SiCl₄), le méthane (CH₄), l'hydrogène (H₂), l'argon (Ar), l'hexafluorure de soufre (SF₆), le tétrafluorométhane (CF₄), l'oxygène (O₂), l'azote (N2), le trifluorométhane (CHF₃) et l'octafluorocyclobutane (C4F8). L'APEC SLR peut accueillir des plaquettes jusqu'à 6 pouces (150 mm), avec la flexibilité pour des plaquettes de 2, 4 et 8 pouces, et comprend le contrôle de la température du substrat ainsi qu'un système de spectroscopie d'émission optique (OES) pour une détection précise du point final du procédé.