Traduit de l'anglais
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Le Xactix E2, également connu sous le nom de Xactix Xetch XeF2, est un système de gravure isotrope du silicium en phase vapeur sèche qui fonctionne à température ambiante. Il utilise du difluorure de xénon (XeF2) gazeux, offrant une sélectivité extrêmement élevée du silicium par rapport aux matériaux de masquage courants tels que la résine photosensible, le dioxyde de silicium (SiO2), le nitrure de silicium (Si3N4) et l'aluminium. Ce système est particulièrement bien adapté aux applications de microsystèmes électromécaniques (MEMS), notamment la libération de structures MEMS, grâce à sa capacité à graver le silicium de manière isotrope sans produits chimiques liquides. Au-delà du silicium, il peut également graver d'autres matériaux comme le molybdène (Mo), le germanium (Ge), le niobium (Nb), le silicium polycristallin, le titane (Ti) et le tungstène (W). Le système peut traiter de petits échantillons jusqu'à des plaquettes de 150 mm, et son couvercle de chambre transparent permet un suivi en temps réel de la progression de la gravure.
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